Gain-module at 1210nm im BTF-Gehäuse
Gain-module at 1210nm im BTF-Gehäuse
GMB1220130YY140MXXXX
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Wellenlänge:  1210 nm
Regelbereichsbreite:  130 nm
Maximale Ausgangsleistung:  140 mW
IN DEN WARENKORB
Gain-Chip bei 1210nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 1210nm im TO-Gehäuse
GCB1180100TC200MXXXX
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Wellenlänge:  1210 nm
Regelbereichsbreite:  100 nm
Maximale Ausgangsleistung:  210 mW
IN DEN WARENKORB
Gain-Chip bei 1210nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 1210nm im TO-Gehäuse
GCA1180080TC200MXXXX
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Wellenlänge:  1210 nm
Regelbereichsbreite:  80 nm
Maximale Ausgangsleistung:  220 mW
IN DEN WARENKORB
Gain-Chip bei 1210nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 1210nm im TO-Gehäuse
GCB1220110TC200MXXXX
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Wellenlänge:  1210 nm
Regelbereichsbreite:  110 nm
Maximale Ausgangsleistung:  230 mW
IN DEN WARENKORB
Gain-Chip bei 1210nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 1210nm im TO-Gehäuse
GCB1270130TC200MXXXX
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Wellenlänge:  1210 nm
Regelbereichsbreite:  130 nm
Maximale Ausgangsleistung:  200 mW
IN DEN WARENKORB
Gain-Chip bei 1210nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 1210nm im TO-Gehäuse
GCA1270140TC200MXXXX
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Wellenlänge:  1210 nm
Regelbereichsbreite:  140 nm
Maximale Ausgangsleistung:  220 mW
IN DEN WARENKORB