Gain-Chip bei 1160nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 1160nm im TO-Gehäuse
GCB1220110TC200MXXXX
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Wellenlänge:  1160 nm
Regelbereichsbreite:  110 nm
Maximale Ausgangsleistung:  230 mW
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Gain-Chip bei 1161nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 1161nm im TO-Gehäuse
GCB1220110TC200MXXXX
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Wellenlänge:  1161 nm
Regelbereichsbreite:  110 nm
Maximale Ausgangsleistung:  230 mW
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Gain-Chip bei 1162nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 1162nm im TO-Gehäuse
GCB1220110TC200MXXXX
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Wellenlänge:  1162 nm
Regelbereichsbreite:  110 nm
Maximale Ausgangsleistung:  230 mW
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Gain-Chip bei 1163nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 1163nm im TO-Gehäuse
GCB1220110TC200MXXXX
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Wellenlänge:  1163 nm
Regelbereichsbreite:  110 nm
Maximale Ausgangsleistung:  230 mW
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Gain-Chip bei 1164nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 1164nm im TO-Gehäuse
GCB1220110TC200MXXXX
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Wellenlänge:  1164 nm
Regelbereichsbreite:  110 nm
Maximale Ausgangsleistung:  230 mW
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Gain-Chip bei 1165nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 1165nm im TO-Gehäuse
GCB1220110TC200MXXXX
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Wellenlänge:  1165 nm
Regelbereichsbreite:  110 nm
Maximale Ausgangsleistung:  230 mW
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