Gain-module at 1265nm im BTF-Gehäuse
Gain-module at 1265nm im BTF-Gehäuse
GMB1220130YY140MXXXX
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Wellenlänge:  1265 nm
Regelbereichsbreite:  130 nm
Maximale Ausgangsleistung:  140 mW
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Gain-Chip bei 1265nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 1265nm im TO-Gehäuse
GCB1220110TC200MXXXX
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Wellenlänge:  1265 nm
Regelbereichsbreite:  110 nm
Maximale Ausgangsleistung:  230 mW
IN DEN WARENKORB
Gain-Chip bei 1265nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 1265nm im TO-Gehäuse
GCA1260060TC120MXXXX
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Wellenlänge:  1265 nm
Regelbereichsbreite:  60 nm
Maximale Ausgangsleistung:  120 mW
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Gain-Chip bei 1265nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 1265nm im TO-Gehäuse
GCB1260060TC200MXXXX
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Wellenlänge:  1265 nm
Regelbereichsbreite:  60 nm
Maximale Ausgangsleistung:  210 mW
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Gain-Chip bei 1265nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 1265nm im TO-Gehäuse
GCA1270060TC200MXXXX
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Wellenlänge:  1265 nm
Regelbereichsbreite:  60 nm
Maximale Ausgangsleistung:  200 mW
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Gain-Chip bei 1265nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 1265nm im TO-Gehäuse
GCB1270130TC200MXXXX
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Wellenlänge:  1265 nm
Regelbereichsbreite:  130 nm
Maximale Ausgangsleistung:  200 mW
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