Halbleiteroptischer Verstärker bei 853nm im BTF-Gehäuse
Halbleiteroptischer Verstärker bei 853nm im BTF-Gehäuse
SOA0853012YY25DBXXXX
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Wellenlänge:  853 nm
Verstärkungsbandbreite (3dB):  12 nm
Kleinsignalverstärkung:  25 dB
IN DEN WARENKORB
Gain-Chip bei 853nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 853nm im TO-Gehäuse
GCB0850030TC050MXXXX
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Wellenlänge:  853 nm
Regelbereichsbreite:  30 nm
Maximale Ausgangsleistung:  50 mW
IN DEN WARENKORB