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854 nm Diode

854 nm Diode

Halbleiteroptischer Verstärker bei 854nm im BTF-Gehäuse
Halbleiteroptischer Verstärker bei 854nm im BTF-Gehäuse
SOA0854012YY25DBXXXX
PDF
Wellenlänge:  854 nm
Verstärkungsbandbreite (3dB):  12 nm
Kleinsignalverstärkung:  25 dB
IN DEN WARENKORB
Gain-Chip bei 854nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 854nm im TO-Gehäuse
GCB0850030TC050MXXXX
PDF
Wellenlänge:  854 nm
Regelbereichsbreite:  30 nm
Maximale Ausgangsleistung:  50 mW
IN DEN WARENKORB