860 nm Diode

860 nm Diode

Halbleiteroptischer Verstärker bei 860nm im BTF-Gehäuse

Halbleiteroptischer Verstärker bei 860nm im BTF-Gehäuse

SOA0860012YY25DBXXXX

Wellenlänge: 860 nm

Verstärkungsbandbreite (3dB): 12 nm

Kleinsignalverstärkung: 25 dB

IN DEN WARENKORB

Gain-Chip bei 860nm im TO-Gehäuse

Gain-Chip bei 860nm im TO-Gehäuse

GCB0850030TC050MXXXX

Wellenlänge: 860 nm

Regelbereichsbreite: 30 nm

Maximale Ausgangsleistung: 50 mW

IN DEN WARENKORB

Gain-Chip bei 860nm im TO-Gehäuse

Gain-Chip bei 860nm im TO-Gehäuse

GCB0920090TC200MXXXX

Wellenlänge: 860 nm

Regelbereichsbreite: 90 nm

Maximale Ausgangsleistung: 200 mW

IN DEN WARENKORB