Halbleiteroptischer Verstärker bei 864nm im BTF-Gehäuse
Halbleiteroptischer Verstärker bei 864nm im BTF-Gehäuse
SOA0864012YY25DBXXXX
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Wellenlänge:  864 nm
Verstärkungsbandbreite (3dB):  12 nm
Kleinsignalverstärkung:  25 dB
IN DEN WARENKORB
Gain-Chip bei 864nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 864nm im TO-Gehäuse
GCB0920090TC200MXXXX
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Wellenlänge:  864 nm
Regelbereichsbreite:  90 nm
Maximale Ausgangsleistung:  200 mW
IN DEN WARENKORB