Halbleiteroptischer Verstärker bei 942nm im BTF-Gehäuse
Halbleiteroptischer Verstärker bei 942nm im BTF-Gehäuse
SOA0942080YY25DBXXXX
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Wellenlänge:  942 nm
Verstärkungsbandbreite (3dB):  80 nm
Kleinsignalverstärkung:  25 dB
IN DEN WARENKORB
Gain-Chip bei 942nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 942nm im TO-Gehäuse
GCB0920090TC200MXXXX
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Wellenlänge:  942 nm
Regelbereichsbreite:  90 nm
Maximale Ausgangsleistung:  200 mW
IN DEN WARENKORB
Gain-Chip bei 942nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 942nm im TO-Gehäuse
GCB0950110TC200MXXXX
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Wellenlänge:  942 nm
Regelbereichsbreite:  110 nm
Maximale Ausgangsleistung:  200 mW
IN DEN WARENKORB