Innolume demonstriert 1W 1,06µm DFB-Laser mit Rekordeffizienz auf der SPIE Photonics West 2025
Am 27. Januar auf der SPIE Photonics West 2025 hielt Alexey Kovsh einen Vortrag über die neuesten Fortschritte bei leistungsstarken GaAs-basierten DFB-Lasern. Der Schwerpunkt lag auf der Demonstration eines InGaAs-Quantentopf-basierten 1,06 µm DFB-Lasers, der bis zu 1 W optische Leistung mit einer Leistungswandlungseffizienz (PCE) von 45 % im Dauerstrichbetrieb (CW) für Seed-Anwendungen liefert. Diese Errungenschaft stellt einen bedeutenden Fortschritt in der Entwicklung von Hochleistungs- und hocheffizienten Lasern für Anwendungen wie Verstärker, Holographie, Frequenzverdopplung und Materialbearbeitung dar.
Wichtige Punkte der Präsentation
- Einzelner epitaktischer Wachstumsprozess: Die Laserstruktur wird mittels Molekularstrahlepitaxie (MBE) ohne Überwachstumsprozesse hergestellt, mit einem wellenförmigen Gitter in Nähe des Wellenleiterkerns.
- Hohe Leistung und Effizienz: Der 4 mm lange DFB-Laser erreicht eine ex-facet CW-Leistung von bis zu 1 W mit einer PCE von bis zu 46 %. Nach unserem Kenntnisstand sind dies weltweit führende Werte für GaAs-basierte DFB-Laser.
- Strahlqualität und hohe Einkopplungseffizienz in Singlemode-Fasern: Ein stabiles Fernfeldprofil mit einer Gauß-Form und einer Divergenz von 4x27 Grad FWHM gewährleistet eine effiziente Einkopplung von mehr als 70 % in Singlemode-Fasern unter verschiedenen Betriebsbedingungen. Dies führt zu einer CW-Optikleistung von 300 mW aus der Faser mit einer PCE von 35 % bei 3 mm langen Lasern.
- Schmale Linienbreite: Die gemessene optische Linienbreite bleibt über einen großen Leistungsbereich unter 300 kHz FWHM, was diese Laser ideal für Anwendungen mit hoher Kohärenz macht.
Quantenpunkt-DFB-Laser für das O-Band
Zusätzlich zu den Fortschritten bei Quantumwell-Lasern präsentierte Innolume die neuesten Entwicklungen im Bereich Quantenpunkt-basierter DFB-Laser für das O-Band. Diese QD-Laser liefern eine Ausgangsleistung von mehr als 150 mW über einen weiten Temperaturbereich von 25°C bis 85°C und sind für den Betrieb in Transceivern ohne optische Isolatoren konzipiert. Mit einer integrierten In-situ-Fensterstruktur weisen diese Laser eine hervorragende Zuverlässigkeit auf, da sie katastrophale optische Spiegelbeschädigungen (COMD) verhindern.
Veranstaltungsdetails:
Datum: 28.–30. Januar 2025
Ort: The Moscone Center, 747 Howard St, San Francisco, CA, USA
Unser Stand: #4324
Wir laden Sie herzlich ein, unseren Stand zu besuchen, um mehr über unsere bahnbrechenden Fortschritte in der Hochleistungs-DFB-Lasertechnologie zu erfahren.
