Gain-Chip bei 860nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 860nm im TO-Gehäuse
GCB0920090TC200MXXXX
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Wellenlänge:  860 nm
Regelbereichsbreite:  90 nm
Maximale Ausgangsleistung:  200 mW
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Gain-Chip bei 861nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 861nm im TO-Gehäuse
GCB0920090TC200MXXXX
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Wellenlänge:  861 nm
Regelbereichsbreite:  90 nm
Maximale Ausgangsleistung:  200 mW
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Gain-Chip bei 862nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 862nm im TO-Gehäuse
GCB0920090TC200MXXXX
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Wellenlänge:  862 nm
Regelbereichsbreite:  90 nm
Maximale Ausgangsleistung:  200 mW
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Gain-Chip bei 863nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 863nm im TO-Gehäuse
GCB0920090TC200MXXXX
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Wellenlänge:  863 nm
Regelbereichsbreite:  90 nm
Maximale Ausgangsleistung:  200 mW
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Gain-Chip bei 864nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 864nm im TO-Gehäuse
GCB0920090TC200MXXXX
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Wellenlänge:  864 nm
Regelbereichsbreite:  90 nm
Maximale Ausgangsleistung:  200 mW
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Gain-Chip bei 865nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 865nm im TO-Gehäuse
GCB0920090TC200MXXXX
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Wellenlänge:  865 nm
Regelbereichsbreite:  90 nm
Maximale Ausgangsleistung:  200 mW
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